![Microchip präsentiert ersten vollständig konfigurierbaren digitalen Gate-Treiber für Siliziumkarbid-MOSFETs | Elektor Magazine Microchip präsentiert ersten vollständig konfigurierbaren digitalen Gate-Treiber für Siliziumkarbid-MOSFETs | Elektor Magazine](https://cdn.xingosoftware.com/elektor/images/fetch/dpr_1,w_720/https%3A%2F%2Fwww.elektormagazine.de%2Fassets%2Fupload%2Fimages%2F42%2F20210920155339_MC1564---Image---Silicon-Carbide-1500.jpg)
Microchip präsentiert ersten vollständig konfigurierbaren digitalen Gate-Treiber für Siliziumkarbid-MOSFETs | Elektor Magazine
![Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1660745804-240-wormfpi4g.jpg.1280x0.webp)
Dritte SiC-MOSFET-Generation von Toshiba: Schalt- und Durchlassverluste deutlich gesenkt - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering](https://med-eng.de/wp-content/uploads/sites/3/2022/05/CoolSiC_MOSFET_2_kV_TO247.jpg)
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
![Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1670948718-240-worlg99r0.jpg.1280x0.webp)
Forschungserfolg von Toshiba: SiC-MOSFET mit optimierter eingebetteter Schottky-Diode - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263-7, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück | C3M0075120J : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263-7, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück | C3M0075120J : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft](https://m.media-amazon.com/images/I/51OF28VEPgL._AC_UF894,1000_QL80_.jpg)
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 30A, TO-263-7, Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs Transistoren, 1 Stück | C3M0075120J : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
![Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Neue SiC-MOSFET-Generation von Rohm: Tiefe Einblicke in die Gen 4 - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1663749572-240-wor6tqvyi.jpg.1280x0.webp)