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MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)
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6.2.1 Ausgangskennlinien, Transferkennlinien Steilheiten
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DE102005061294B4 - NPT semiconductor device in the form of a MOSFET or IGBT - Google Patents
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MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)
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MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)
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ROHM beginnt mit der Produktion von 150V GaN-HEMTs mit hoher Gate- Durchbruchspannung von 8 V | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
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MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)
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MOSFET-Datenblätter richtig lesen: UIS und Avalanche-Festigkeit (Teil 1)
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Applied Novel Devices: Silizium-MOSFETs mit GaN-Performance - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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